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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
29
读取速度,GB/s
13.4
15.5
写入速度,GB/s
8.0
9.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2202
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
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