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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 23% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
30
读取速度,GB/s
13.4
15.2
写入速度,GB/s
8.0
11.8
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2913
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
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