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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
36
左右 36% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
36
读取速度,GB/s
13.4
14.4
写入速度,GB/s
8.0
10.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2490
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
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