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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
28
读取速度,GB/s
13.4
16.0
写入速度,GB/s
8.0
11.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2436
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
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