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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
24
左右 4% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
24
读取速度,GB/s
13.4
16.8
写入速度,GB/s
8.0
14.9
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3167
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
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