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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 15% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
27
读取速度,GB/s
13.4
9.7
写入速度,GB/s
8.0
6.8
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1767
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
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