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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
28
读取速度,GB/s
13.4
17.5
写入速度,GB/s
8.0
16.1
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3758
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
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