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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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更快的读取速度,GB/s
17.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
23
读取速度,GB/s
13.4
17.2
写入速度,GB/s
8.0
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3017
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Kingston KYXC0V-MID 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
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