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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
30
读取速度,GB/s
13.4
10.9
写入速度,GB/s
8.0
10.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2587
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
AMD R744G2606U1S 4GB
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