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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
29
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
10600
左右 2.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
29
读取速度,GB/s
13.4
15.6
写入速度,GB/s
8.0
12.9
内存带宽,mbps
10600
23400
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3093
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
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Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
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