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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
25
左右 8% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
25
读取速度,GB/s
13.4
14.1
写入速度,GB/s
8.0
9.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2450
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
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