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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
73
左右 68% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
73
读取速度,GB/s
13.4
15.8
写入速度,GB/s
8.0
8.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1822
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
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