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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.6
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
27
读取速度,GB/s
13.4
19.6
写入速度,GB/s
8.0
16.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3832
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
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Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
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Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
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A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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