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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
26
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
26
读取速度,GB/s
13.4
17.2
写入速度,GB/s
8.0
17.1
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3757
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
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Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
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