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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
30
左右 23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
12
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
30
读取速度,GB/s
13.4
12.0
写入速度,GB/s
8.0
8.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
2034
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
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