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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
UMAX Technology 16GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs UMAX Technology 16GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
UMAX Technology 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
69
左右 67% 更低的延时
需要考虑的原因
UMAX Technology 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
UMAX Technology 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
69
读取速度,GB/s
13.4
14.5
写入速度,GB/s
8.0
8.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1926
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
UMAX Technology 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
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