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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
94
左右 76% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
13.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
94
读取速度,GB/s
13.4
14.7
写入速度,GB/s
8.0
7.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
1506
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
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