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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
23
左右 -21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
19
读取速度,GB/s
13.4
19.4
写入速度,GB/s
8.0
14.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3290
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
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