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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
总分
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
31
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
21.2
13.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
23
31
读取速度,GB/s
13.4
21.2
写入速度,GB/s
8.0
15.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2269
3486
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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