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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

总分
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

总分
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Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB 需要考虑的原因
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 31
    左右 26% 更低的延时
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB 需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.9 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.7 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 10600
    左右 1.6 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    23 left arrow 31
  • 读取速度，GB/s
    13.4 left arrow 17.9
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 14.7
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2269 left arrow 3444

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB RAM的比较

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A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
内存RAM
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
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内存RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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