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Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
比较
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB vs Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
总分
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
总分
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
42
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.6
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.1
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
42
读取速度,GB/s
13.6
13.5
写入速度,GB/s
8.1
8.7
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2229
2348
Samsung M378B5173CB0-CK0 4GB RAM的比较
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB RAM的比较
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
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