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Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
比较
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
总分
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
总分
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
52
左右 21% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.1
10.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
52
读取速度,GB/s
13.1
10.3
写入速度,GB/s
8.7
8.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2094
2390
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
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