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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.7
14.5
写入速度,GB/s
7.5
12.1
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2756
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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