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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
AMD R744G2133U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
AMD R744G2133U1S 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.7
13.8
写入速度,GB/s
7.5
8.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2415
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
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