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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.5
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
12.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
12.7
13.0
写入速度,GB/s
7.5
6.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2041
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
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