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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.7
17.6
写入速度,GB/s
7.5
13.4
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3038
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
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