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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.7
14.5
写入速度,GB/s
7.5
12.0
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2960
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Corsair VS1GB800D2 1GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
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