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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
39
读取速度,GB/s
12.7
14.8
写入速度,GB/s
7.5
13.1
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3017
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-024.A00G 4GB
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INTENSO 4GB
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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
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Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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