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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
12.7
17.2
写入速度,GB/s
7.5
12.4
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3204
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
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Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
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