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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.7
15.3
写入速度,GB/s
7.5
11.6
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2960
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
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