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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
12.7
14.7
写入速度,GB/s
7.5
10.7
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3099
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
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Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
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Samsung M378B5773QB0-CK0 2GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
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