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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.7
16.8
写入速度,GB/s
7.5
12.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3154
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
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