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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
84
左右 67% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
84
读取速度,GB/s
12.7
12.8
写入速度,GB/s
7.5
10.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
1932
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-001.B00G 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
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