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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
28
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
20
读取速度,GB/s
12.7
19.0
写入速度,GB/s
7.5
15.5
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3549
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
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