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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.7
17.2
写入速度,GB/s
7.5
14.2
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3299
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
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A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
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