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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
43
左右 35% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
8500
左右 2.75 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
43
读取速度,GB/s
12.7
16.7
写入速度,GB/s
7.5
15.3
内存带宽,mbps
8500
23400
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3304
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905625-062.A00G 8GB
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Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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