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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.7
14.7
写入速度,GB/s
7.5
11.0
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2658
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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