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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.7
17.3
写入速度,GB/s
7.5
14.5
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3395
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB RAM的比较
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
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