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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.7
18.3
写入速度,GB/s
7.5
13.7
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3433
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
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