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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
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规格
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
12.7
20.3
写入速度,GB/s
7.5
17.3
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
4008
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
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