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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
33
读取速度,GB/s
12.7
19.3
写入速度,GB/s
7.5
15.1
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3423
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
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Kingston 9905663-012.A00G 16GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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