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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.7
17.4
写入速度,GB/s
7.5
13.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3413
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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