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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.5
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.7
18.5
写入速度,GB/s
7.5
15.2
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3784
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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