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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.7
14.3
写入速度,GB/s
7.5
11.2
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2699
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
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