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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
26
读取速度,GB/s
12.7
14.1
写入速度,GB/s
7.5
11.1
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2646
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
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