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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
12.7
14.1
写入速度,GB/s
7.5
8.7
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2372
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905712-008.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
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