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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
28
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.6
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
27
读取速度,GB/s
12.7
18.6
写入速度,GB/s
7.5
15.1
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
3561
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
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