RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
38
左右 26% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
38
读取速度,GB/s
12.7
14.8
写入速度,GB/s
7.5
10.9
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2536
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link