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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.7
15.8
写入速度,GB/s
7.5
10.1
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2373
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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