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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
比较
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
总分
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.4
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
12.7
14.4
写入速度,GB/s
7.5
11.3
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1988
2712
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
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Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
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Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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